高压耗尽射频等离子体增强化学气相沉积(HPD+RF-PECVD)法的优点有()。

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高压耗尽射频等离子体增强化学气相沉积(HPD+RF-PECVD)法的优点有()。

A.防止高能粒子对薄膜表面的破坏;

B.可使硅烷耗尽,抑制硅烷对原子氢的消耗,故能够提供足够高密度的原子态氢,从而大大降低薄膜缺陷态密度。

C.需要高的激发功率

D.所制备的薄膜中出现许多微空洞

高压耗尽射频等离子体增强化学气相沉积(HPD+RF-PECVD)法的优点有()。

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